1Т341Б диодный мост, диодные мосты отечественные, импортные диодные мосты

Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n
усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.
Предназначены для применения в усилителях сверхвысокой частоты в
электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми
выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Основные технические характеристики транзистора 1Т341А:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 35 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора
для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 1500 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном
обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном
обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10
мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход
при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом
выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим
эмиттером в режиме большого сигнала: 15...250 при 5В, 3мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,0 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 1
ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте:
не более 10 пс