| Емкость : | общая: 0,9...1,2 пФ |
| Сопротивление : | потерь прямое: не более 1,5 Ом |
| Частота : | критическая: 150...350 ГГц |
| Заряд : | накопленный: не более 25 нКл |
| Напряжение : | пробивное: 200...600 В |
| Емкость : | корпуса: 0,3...0,45 пФ |
| Индуктивность : | диода: 0,5 нГн |
| Напряжение : | постоянное обратное: 150 В |
| Напряжение : | мгновенное обратное: 175 В |
| Ток : | постоянный прямой: 100 мА |
| Мощность : | непрерывная рассеиваемая: 2 Вт |
| Мощность : | импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт |
| Температура : | окружающей среды: -60...+100°С |
| Минимальная наработка : | 25000 ч |
| Срок службы : | 25 лет |
| Вес : | 1,3 г |